FQPF5N60C 规格信息：

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:4.5 A

Rds On-漏源导通电阻:2.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:33 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:16.3 mm

长度:10.67 mm

系列:FQPF5N60C

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:4.7 S

下降时间:46 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:42 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别名:FQPF5N60C_NL

单位重量:2.270 g

4F6-3A250V是一款电解电容器，主要用于在电子设备中存储电荷和滤波。电容器的基本工作原理是利用两个导体之间的电场来存储电荷。电解电容器具有较高的电容值和较低的成本，因此在各类电子产品和电气设备中得到广泛应用。 主要特点： 1. 额定电压：250V AC（交流）。 2. 额定电流：3A。 3. 电容量：4F6（4.6微法）。 4. 类型：电解电容器。 5. 绝缘介质：通常为聚丙烯或聚酯薄膜。 6. 封装形式：轴向引脚封装，体积较小，便于安装。 7. 应用领域：广泛应用于家电、电源、音响、通信设备等领域。 在电路中，4F6-3A250V电解电容器主要用于交流电源滤波、信号耦合、去耦、谐振等场合。由于其具有较高的电容值和较低的成本，因此在需要较大电容值的场合具有较好的应用前景。在使用时，请确保工作电压和电流不超过电容器的额定值，以避免发生安全隐患。

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